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英特尔称当前的闪存技术将应用到2010年
 
 
日期：2006-3-9 11:57:40     来源：
计世网消息        3月9日消息，英特尔闪存业务部门战略规划经理Greg Komoto表示，英特尔认为当前的闪存技术将能够
存在到2010年年末，从而使“通用内存”的需求延迟到2010年。

    Komoto本周三（3月8日）在旧金山举行的英特尔开发商论坛会议上发表讲话说，OUM内存（也称作相变内存）取代非挥发性内存的可能性远远超过了磁荷随机存储器（MRAM）或者铁电随机存储器（FeRAM）。人们也在研究用后面两种内存作为闪存潜在的替代产品。

    Komoto表示，OUM内存具有可伸缩性、低成本和可变位等特点，显示出了最大的潜力。

    自从2000年以来，英特尔一直与合作伙伴Ovonyx公司共同研发OUM内存。英特尔当时取得了Ovonyx公司的股份。意法半导体业购买了Ovonyx公司的技术许可证。由于OUM内存有可能取代闪存和DRAM内存，日本的Elpida Memory公司和韩国的三星电子去年也购买了Ovonyx公司的技术许可证。

    英特尔官员曾表示，这项研发活动已经开发出了可以工作的OUM内存产品。但是，成本一直是一个问题。Komoto本周三表示，这项研发努力已经使OUM内存的可见标度达到了15纳米。同时，NAND和NOR闪存技术继续升级，从而推迟了替代这种非挥发性内存产品的需求。

    英特尔在2002年与Azalea微电子公司合作开发了一种180纳米节点的实验型OUM芯片。英特尔副总裁兼加州技术和生产中心的共同经理Stefan Lai曾表示，英特尔会自己开发130纳米的OUM原型芯片。

    英特尔对OUM芯片的兴趣可以追溯到35年前。1970年11月，英特尔共同创始人格登·摩尔（Gordon Moore）和Energy Conversion Devices公司的OUM内存的发明者在电子杂志上联合发表了一篇关于这个项目的技术文章。

     
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